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PS1240P02AT 发布时间 时间:2025/12/3 19:04:47 查看 阅读:25

PS1240P02AT是一款由Power Integrations公司生产的高度集成的离线式开关电源(SMPS)控制器芯片,专为低功耗、高效率的交流-直流(AC-DC)电源转换应用而设计。该器件属于Power Integrations旗下InnoSwitch?3系列的一部分,采用先进的多模式准谐振(Quasi-Resonant, QR)反激式拓扑控制技术,结合了高压功率MOSFET与次级侧同步整流(SR)控制器的反馈机制,通过FluxLink?磁感应技术实现隔离通信,无需光耦即可完成精确的输出电压和电流调节。该芯片集成了多项保护功能,包括过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、过温保护(OTP)以及自动重启动功能,确保系统在各种异常条件下安全运行。其封装形式为紧凑型InSOP-28D封装,具备良好的散热性能和电气隔离能力,适用于空间受限但要求高可靠性的应用场景。PS1240P02AT特别适合用于满足全球能效标准(如Energy Star、DOE Level VI、CoC Tier 2等)的电源产品设计,支持宽输入电压范围,能够适应不同地区的电网条件。

参数

工作输入电压范围:85 VAC - 265 VAC
  输出功率能力:最高约65 W
  集成开关器件:750 V PowiGaN?氮化镓功率开关
  拓扑结构:反激式(Flyback)
  控制方式:多模式准谐振(QR)/CCM/DCM
  反馈机制:FluxLink?磁感应隔离技术
  同步整流控制:支持次级侧同步整流驱动
  待机功耗:< 30 mW
  工作效率:> 94%
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:InSOP-28D
  引脚数:28
  集成保护功能:OVP, OCP, OTP, Auto-Restart
  符合安规标准:IEC 60950-1, IEC 62368-1

特性

PS1240P02AT的核心优势在于其高度集成化的设计理念,将初级侧的高压GaN开关、PWM控制器、次级侧同步整流控制器以及反馈接口全部集成于单一芯片系统中,极大简化了电源设计复杂度并减少了外围元件数量。其采用的PowiGaN?技术基于氮化镓(GaN)半导体材料,相比传统硅基MOSFET具有更低的导通电阻和开关损耗,从而显著提升转换效率,尤其是在高频工作条件下表现优异。得益于高效的热管理和低损耗特性,该芯片可在无额外散热片的情况下稳定运行,有助于缩小整体电源体积。
  该器件支持多种工作模式,包括准谐振(QR)、连续导通模式(CCM)和不连续导通模式(DCM),可根据负载情况自动切换,以优化轻载至满载范围内的整体效率。FluxLink?双向数字通信技术实现了初级与次级之间的高速、精准信号传输,不仅提高了动态响应速度,还消除了传统光耦因老化或温度漂移带来的稳定性问题,增强了长期使用的可靠性。此外,内置的精确恒压(CV)和恒流(CC)控制算法使得该芯片非常适合用于对输出精度要求较高的适配器、充电器等设备。
  PS1240P02AT具备完善的保护机制,包括逐周期电流限制、过温关断、输出过压/过流保护,并在故障发生时进入自动重启动模式,有效防止损坏外部元件。其自供电架构无需辅助绕组,进一步简化了变压器设计。该芯片还支持外部可编程的软启动时间、过压阈值调节等功能,提升了设计灵活性。整体而言,PS1240P02AT代表了现代高效、小型化电源解决方案的发展方向,尤其适用于追求极致能效和紧凑结构的产品设计需求。

应用

PS1240P02AT广泛应用于各类中低功率开关电源系统中,典型用途包括智能手机、平板电脑及笔记本电脑的USB-C PD快速充电器,特别是支持高达65W输出的便携式电源适配器。它也适用于工业级电源模块、智能家居控制面板、网络通信设备(如路由器、交换机)、安防监控摄像头以及医疗辅助设备中的嵌入式电源单元。由于其出色的能效表现和极低的待机功耗,该芯片非常适用于需要满足严苛环保法规(如欧盟CoC Tier 2、美国DoE Level VI)的绿色电子产品设计。此外,在LED照明驱动电源、电动工具充电器、无人机电源管理系统等领域也有广泛应用前景。其高集成度和高可靠性使其成为替代传统分立式控制器+光耦反馈方案的理想选择,尤其适合对成本、空间和效率均有较高要求的应用场景。

替代型号

INN3366C

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PS1240P02AT参数

  • 制造商TDK
  • 产品种类扬声器与变频器
  • 安装Flush
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量500