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PS05TSUL2-RTL/H 发布时间 时间:2025/9/11 10:38:11 查看 阅读:20

PS05TSUL2-RTL/H 是一款由 IXYS(现属于Littelfuse)生产的功率MOSFET晶体管,主要用于高效率的电源转换应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻和优异的热性能。该器件适用于多种高功率密度设计,例如DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统和工业控制设备。PS05TSUL2-RTL/H 采用表面贴装封装(如PowerPAK?),有助于提高功率处理能力和散热效率。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):160A(在Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):最大5.3mΩ(在Vgs=10V)
  功率耗散(Pd):200W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:PowerPAK? 8x8L DualCool?

特性

PS05TSUL2-RTL/H 具备多项关键特性,适用于高效率和高功率的应用环境。首先,该MOSFET采用先进的沟槽式结构,显著降低了导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗,提高了整体系统效率。其最大Rds(on)为5.3mΩ,确保在大电流下仍能保持较低的功率损耗。
  其次,该器件支持高达160A的连续漏极电流,使其适用于高功率密度设计,如服务器电源、DC-DC转换器和电动车电池管理系统。此外,该MOSFET具备优异的热性能,采用PowerPAK? 8x8L DualCool?封装,双面散热设计有助于提高散热效率,从而在高负载条件下保持稳定的工作状态。
  再者,PS05TSUL2-RTL/H 的栅极驱动电压范围为±20V,适用于标准的10V或12V栅极驱动电路,同时具备良好的抗雪崩能力,提高了器件的可靠性和使用寿命。该器件的工作温度范围宽广,从-55℃到+175℃,适应各种恶劣的工作环境。
  最后,该MOSFET具有较高的开关速度,适合高频开关应用,有助于减小电源系统的体积和重量,提高系统功率密度。

应用

PS05TSUL2-RTL/H MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中。其主要应用包括:服务器和通信设备的DC-DC转换器、多相电压调节模块(VRM)、电动车和混合动力车的电池管理系统(BMS)、电机驱动和逆变器系统、工业电源和不间断电源(UPS)系统等。此外,由于其低导通电阻和高电流能力,该器件也常用于高效率的同步整流电路以及高性能电源管理模块中。

替代型号

SiS6200ADN-T1-GE3, NexFET CSD17551Q5A, IRF6717TRPBF, STP150N3LLH6

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