类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：160A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大5.3mΩ（在Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ 至 175℃
　　封装形式：PowerPAK? 8x8L DualCool?

PS05TSUL2-RTL/H 具备多项关键特性，适用于高效率和高功率的应用环境。首先，该MOSFET采用先进的沟槽式结构，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。其最大Rds(on)为5.3mΩ，确保在大电流下仍能保持较低的功率损耗。
　　其次，该器件支持高达160A的连续漏极电流，使其适用于高功率密度设计，如服务器电源、DC-DC转换器和电动车电池管理系统。此外，该MOSFET具备优异的热性能，采用PowerPAK? 8x8L DualCool?封装，双面散热设计有助于提高散热效率，从而在高负载条件下保持稳定的工作状态。
　　再者，PS05TSUL2-RTL/H 的栅极驱动电压范围为±20V，适用于标准的10V或12V栅极驱动电路，同时具备良好的抗雪崩能力，提高了器件的可靠性和使用寿命。该器件的工作温度范围宽广，从-55℃到+175℃，适应各种恶劣的工作环境。
　　最后，该MOSFET具有较高的开关速度，适合高频开关应用，有助于减小电源系统的体积和重量，提高系统功率密度。

PS05TSUL2-RTL/H MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中。其主要应用包括：服务器和通信设备的DC-DC转换器、多相电压调节模块（VRM）、电动车和混合动力车的电池管理系统（BMS）、电机驱动和逆变器系统、工业电源和不间断电源（UPS）系统等。此外，由于其低导通电阻和高电流能力，该器件也常用于高效率的同步整流电路以及高性能电源管理模块中。

SiS6200ADN-T1-GE3, NexFET CSD17551Q5A, IRF6717TRPBF, STP150N3LLH6