PS-HD26-R 是一款高压、高电流、高速的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)模块,专为工业控制、电源转换、电机驱动和高功率电子设备设计。该模块采用先进的半导体技术,具有出色的热性能和可靠性,适用于需要高效率和高稳定性的应用场景。PS-HD26-R 封装紧凑,具备良好的散热能力,适合在高功率密度环境中使用。
类型:功率MOSFET模块
最大漏极电流(ID):260A
最大漏-源电压(VDS):1200V
导通电阻(RDS(on)):典型值0.018Ω(最大0.022Ω)
栅极电荷(Qg):典型值180nC
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:双列直插式(DIP)或表面贴装(SMD)可选
安装方式:PCB安装
散热方式:内置散热片或外接散热器
PS-HD26-R 拥有多个关键特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其高耐压能力(1200V)和大电流承载能力(260A)使其适用于高压电源转换和电机控制等高要求场景。其次,该模块的导通电阻非常低,典型值仅为0.018Ω,这有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,PS-HD26-R 采用了先进的封装技术,提供良好的热管理和散热性能,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
在可靠性方面,PS-HD26-R 设计有内置保护功能,如过温保护和过流保护,能够在极端条件下自动断开电路,防止器件损坏。该模块的封装形式灵活,支持双列直插式(DIP)或表面贴装(SMD),便于在不同类型的电路板上安装。同时,其宽广的工作温度范围(-55°C 至 +150°C)使其适用于各种恶劣环境,包括工业自动化、新能源汽车和可再生能源系统。
另外,PS-HD26-R 具有高速开关特性,适用于高频电源转换器和DC-AC逆变器。其栅极电荷(Qg)为180nC,支持快速开关操作,减少开关损耗,提升系统响应速度。这些特性使得 PS-HD26-R 成为高性能功率电子系统中的理想选择。
PS-HD26-R 主要应用于需要高功率、高效率和高可靠性的电子系统中。常见应用包括工业电机驱动器、变频器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、智能电网设备以及各种类型的功率转换器。由于其高耐压和大电流能力,该模块也广泛用于自动化生产线、工业机器人和电动工具的驱动电路中。此外,PS-HD26-R 还可用于高功率LED照明系统、电焊机和感应加热设备等新兴应用领域。
IXFH26N120T2, FFH26N120SNDG, FFH26N120SNDG_B11