PRS8040-101MT是一款高性能的功率MOSFET器件,采用TO-252封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点。
该功率MOSFET通过优化的制造工艺实现了较低的导通损耗和开关损耗,适合于高频应用环境。其N沟道设计使其能够有效驱动负载,并且具备较强的电流承载能力。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:30A
导通电阻(典型值):4mΩ
总功耗:17W
工作温度范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-252
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下仍能可靠运行。
3. 快速开关速度,适用于高频开关应用。
4. 紧凑的封装尺寸,节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
6. 提供出色的热性能,便于散热管理。
7. 内置反向二极管,简化电路设计。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级控制。
2. DC-DC转换器中的主开关元件。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
4. 负载开关和保护电路中的电子开关。
5. 汽车电子系统中的功率管理模块。
6. 工业自动化设备中的功率调节单元。
IRS2037S
FDP5500
STP30NF06L