PRS506PN 时间：2025/8/6 20:29:34 阅读：38

PRS506PN是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能功率管理的电路设计中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高电流处理能力以及优异的热性能。PRS506PN通常用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关以及电机控制等应用。该MOSFET封装在TO-220AB的塑料封装中，适合高功率密度设计。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：50A
　　导通电阻(RDS(on))：0.018Ω（典型值）
　　功耗(PD)：160W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

PRS506PN具有多项显著的性能特点，首先是其低导通电阻（RDS(on)），这使得该器件在工作时能够有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有较高的电流处理能力，能够在高负载条件下稳定运行。其先进的封装技术提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中仍能保持较低的工作温度。PRS506PN还具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬时过载和反向电压冲击，提高系统的可靠性和稳定性。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持快速开关操作，减少开关损耗。其工作温度范围宽广，适用于各种严苛环境条件下的应用。
　　在电气性能方面，PRS506PN具有较低的输入电容和反向恢复电荷，有助于提高开关速度并降低EMI（电磁干扰）。同时，该MOSFET具有较低的热阻，确保在高温环境下仍能保持良好的导热性能。这些特性使其非常适合用于高频开关电源和电机控制等对效率和稳定性要求较高的应用场景。

应用

PRS506PN适用于多种功率电子系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、电源开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，它还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块等。由于其高可靠性和优异的热性能，PRS506PN也常用于电源适配器、服务器电源、电信设备电源以及不间断电源（UPS）系统。