PRN15520 时间：2025/9/2 3:31:58 阅读：6

PRN15520 是一款由 Precision Technologies 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效能、高频率的开关应用，具有低导通电阻、高功率密度和良好的热性能。PRN15520 通常用于电源转换器、DC-DC 转换器、电池管理系统以及负载开关等应用中。该器件采用 TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装工艺。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：15A
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

PRN15520 MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），在 VGS=10V 时仅为 18mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的漏源电压为 20V，适用于低压高电流的应用场景，例如便携式电子设备的电源管理电路。
　　此外，PRN15520 支持高达 15A 的连续漏极电流，具有良好的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作。其栅极驱动电压为 ±12V，推荐工作电压为 10V，确保了良好的导通性能，同时避免因过高的栅压导致的损坏。
　　TO-252（DPAK）封装形式提供了良好的散热性能，适合在表面贴装工艺中使用，减少了 PCB 板的空间占用，并提升了整体系统的可靠性。该封装也具备较强的机械稳定性，适用于各种工业和消费类电子应用。
　　PRN15520 还具备良好的热稳定性，工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C，适应恶劣的工作环境，适用于汽车电子、工业控制和通信设备等对温度要求较高的应用领域。

应用

PRN15520 MOSFET 主要应用于低压高电流的电源管理系统中，例如 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）和负载开关控制电路。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效能电源转换设计的理想选择。
　　在便携式电子产品中，PRN15520 可用于锂电池充电电路和放电保护电路，确保电池在安全电压和电流范围内运行。此外，在服务器和通信设备的电源模块中，该器件可用于高频率的开关电源拓扑结构，如 Buck、Boost 和 Flyback 拓扑，以实现高效率和紧凑的电源设计方案。
　　由于其良好的热稳定性和耐温能力，PRN15520 也适用于工业自动化控制设备、电机驱动器以及汽车电子系统中的功率开关应用，如车灯控制、电动座椅调节等模块。