PRF21085 时间：2025/9/3 11:21:07 阅读：7

PRF21085 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率的功率开关应用，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。PRF21085 采用先进的 PowerFLAT 封装技术，提供良好的热性能和空间效率，适合在高密度电路设计中使用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：100A（在 TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：300A
　　导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ（典型值，VGS=10V）
　　最大功耗（PD）：120W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6

特性

PRF21085 具有多个关键特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。该器件的高电流处理能力（高达 100A）使其适用于高功率密度的设计。此外，PowerFLAT 封装提供了优良的热管理性能，有助于快速散热，确保器件在高负载条件下的稳定性。该 MOSFET 还具有良好的栅极电荷特性，降低了开关损耗，提高了开关速度。PRF21085 的耐高温工作能力（最高可达 175°C）使其适用于严苛的工业环境。最后，其紧凑的封装形式节省了 PCB 空间，非常适合现代电子产品对小型化的需求。
　　在动态性能方面，PRF21085 具有较低的输入和输出电容，使其在高频开关应用中表现出色。此外，该器件的雪崩能量耐受能力较强，能够在异常工况下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，支持多种控制电路的兼容性。PRF21085 还具备良好的抗短路能力，能够在极端条件下提供一定的保护功能。

应用

PRF21085 广泛应用于各种需要高效率功率开关的电子系统中。典型的应用包括同步整流的 DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关和电源分配系统。在服务器电源和电信设备中，PRF21085 常用于高效能的电源模块设计。此外，它也适用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统（EPS）。在工业自动化设备中，PRF21085 可用于高精度的电机控制和继电器替代方案。由于其优异的热性能和紧凑的封装，PRF21085 也适合用于空间受限的设计，如便携式电源设备和高密度功率模块。