时间：2025/8/27 13:47:01
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PR29MF12NIPF是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET。该器件适用于各种高功率和高频率应用，具有良好的导通特性和快速开关性能。PR29MF12NIPF采用先进的MESH OVERLAY?技术，能够提供卓越的热稳定性和可靠性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：120V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
导通电阻（Rds(on)）：最大值为10mΩ（在Vgs=10V时）
功耗（Ptot）：200W
栅极电荷（Qg）：230nC
PR29MF12NIPF采用了意法半导体的MESH OVERLAY?技术，这使得器件在高温环境下依然能够保持稳定运行，减少了热失控的风险。该MOSFET具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，PR29MF12NIPF还具备较高的电流承载能力，在80A的连续漏极电流下仍能保持良好的性能。其高栅极电荷（Qg）特性使得该器件适合用于高频开关应用，从而减小外部电路的体积并提高系统的功率密度。同时，该MOSFET具有较宽的工作温度范围，能够在极端环境下可靠工作，适用于工业级和汽车级应用。PR29MF12NIPF的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的稳定性。
PR29MF12NIPF适用于多种高功率和高频率应用场景。其主要应用包括但不限于：电源管理系统中的DC-DC转换器、同步整流器；电动工具和电动汽车中的电机驱动系统；负载开关和电池管理系统；以及工业自动化设备中的高性能开关电路。由于其优异的热稳定性和高效率，PR29MF12NIPF在需要高效能和高可靠性的应用中表现出色。
STP80NF12
