PR29MF11 时间：2025/8/27 16:06:20 阅读：4

PR29MF11 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的MESH OVERLAY?技术，具备低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。PR29MF11属于N沟道增强型MOSFET，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：60A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值为4.5mΩ（当Vgs=10V时）
　　功耗(Pd)：120W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　技术：MESH OVERLAY?

特性

PR29MF11具有多项优异特性，首先其采用了MESH OVERLAY?技术，能够有效降低导通电阻，从而减少导通损耗并提高能效。
　　其次，该MOSFET具备非常低的Rds(on)，在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提升系统效率。
　　此外，PR29MF11的封装形式为PowerFLAT 5x6，具有良好的散热性能和较小的PCB占用空间，非常适合紧凑型设计。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至12V驱动电压，适用于多种功率转换电路。
　　PR29MF11还具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，提高了系统的可靠性。
　　最后，其封装设计具有低电感特性，有助于减少开关过程中的电磁干扰（EMI）和电压尖峰问题。

应用

PR29MF11广泛应用于多种电源管理及功率电子系统中，包括但不限于DC-DC降压和升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及汽车电子系统等。
　　在DC-DC转换器中，PR29MF11作为主开关器件，能够实现高效率的能量转换，适用于高电流输出场景。
　　在负载开关和电池管理系统中，其低导通电阻和高电流能力可有效减少功率损耗，延长电池寿命。
　　在电机控制和工业自动化系统中，PR29MF11可用于H桥驱动或PWM控制，提供可靠的功率输出。
　　此外，由于其良好的热性能和紧凑的封装，也适用于空间受限且对散热要求较高的便携式设备或车载系统。