时间：2025/8/28 8:57:11
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PR26MF11NIPF是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于N沟道MOSFET，专为高效率、高频开关应用而设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和功率放大器等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热稳定性，从而减少了功率损耗并提高了整体系统效率。PR26MF11NIPF采用紧凑的封装形式（如PowerFLAT或类似封装），适合对空间要求较高的应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：2.6mΩ（最大值，在Vgs=10V时）
功耗（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
栅极电荷（Qg）：130nC（典型值）
输入电容（Ciss）：3000pF（典型值）
PR26MF11NIPF具备多项优异特性，适用于高功率密度和高效率的设计需求。其主要特点包括低导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提高能效。由于采用了先进的沟槽式MOSFET技术，该器件在高频工作条件下仍能保持稳定的性能，适用于高频开关电源（SMPS）和同步整流器等应用。
此外，PR26MF11NIPF具有高电流承载能力，额定连续漏极电流可达110A，适合用于高功率输出的电路设计。该器件还具备良好的热稳定性和较低的热阻，能够在高温环境下稳定运行，延长系统的使用寿命。
封装方面，PR26MF11NIPF采用PowerFLAT 5x6封装，具有较小的体积和优良的散热性能，适合用于空间受限的电路板设计。此外，该封装支持双面散热，有助于提高整体散热效率。
PR26MF11NIPF的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，并具备较强的抗干扰能力。同时，该器件的开关速度快，有助于降低开关损耗，提升系统响应速度和效率。
总的来说，PR26MF11NIPF是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于需要高效率、高功率密度和紧凑布局的电源和功率控制应用。
PR26MF11NIPF广泛应用于多个高功率电子系统中，主要包括：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电源适配器、工业电源、电机控制器、服务器电源、汽车电子（如车载充电器OBC）等。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适合用于需要高效率、高功率密度的电源设计。此外，其紧凑的封装也适用于对空间有严格要求的便携设备和嵌入式系统。
IRF1404, NTD70N03R, IPW60R028C6, FDP110N60C
