您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PR2004

PR2004 发布时间 时间:2025/9/6 5:18:39 查看 阅读:14

PR2004 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高电流和高功率的应用中。该器件采用 TO-220 封装,具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能,适用于电源管理、电机驱动、开关电源和工业控制等场景。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):200V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):11A
  导通电阻(Rds(on)):0.22Ω(最大值)
  功耗(Ptot):40W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-220

特性

PR2004 的核心特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高整体效率。此外,该器件具备较高的耐压能力,漏源电压可达 200V,适用于高压应用场景。PR2004 的 TO-220 封装设计提供了良好的散热性能,确保在高负载条件下仍能稳定运行。
  该 MOSFET 还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下工作,且不易发生热失控。其栅极驱动特性相对简单,易于与数字控制电路(如微控制器或 PWM 控制器)配合使用。此外,PR2004 在高频开关应用中表现出色,适用于 DC-DC 转换器、逆变器和电机控制等需要快速开关的场合。
  值得一提的是,PR2004 的封装设计也使其便于安装在散热器上,进一步提升其散热能力。这使其成为工业自动化、电源供应器和电机驱动系统中的理想选择。

应用

PR2004 常用于多种高功率和高电压的电子系统中。例如,在开关电源(SMPS)中,它可以用作主开关器件,实现高效的能量转换。在电机控制电路中,PR2004 可用于 H 桥结构,实现对直流电机或步进电机的正反转控制。此外,它也广泛应用于 DC-AC 逆变器、电池管理系统(BMS)、太阳能逆变器以及各种工业自动化设备中的功率控制部分。
  由于其良好的热特性和高耐压能力,PR2004 还适合用于需要长时间高负载运行的设备,如不间断电源(UPS)、电动工具和工业机器人。在汽车电子领域,该器件也可用于车载充电器、电动助力转向系统等应用。

替代型号

IRFZ44N, FDPF10N20, STP12NM20, IRL2700

PR2004推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PR2004资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载