类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：20V
　　最大栅源电压 Vgs：±12V
　　最大连续漏极电流 Id（@25℃）：4.1A
　　导通电阻 Rds(on)（@Vgs=4.5V）：34mΩ（最大）
　　导通电阻 Rds(on)（@Vgs=2.5V）：54mΩ（最大）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装类型：TSMT4（表面贴装）
　　功耗（Pd）：200mW

PR1004T 的设计旨在提供高效的功率开关性能，同时保持小尺寸封装以适应高密度 PCB 布局。其低导通电阻特性有助于降低导通损耗，从而提高整体系统效率。在 Vgs=4.5V 时，Rds(on) 最大为 34mΩ，而在较低栅极电压（如 2.5V）下，Rds(on) 仍能保持在合理范围（54mΩ），这使得该器件适用于由低压控制器驱动的应用场景。
　　此外，PR1004T 具备良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行（-55℃ 至 +150℃）。其表面贴装封装（TSMT4）不仅节省空间，而且便于自动化装配，适用于大批量生产。器件还具备良好的抗静电能力（ESD 保护），增强了在复杂电磁环境中的稳定性。
　　该 MOSFET 还具备快速开关能力，适合用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、同步整流器等。同时，其低栅极电荷（Qg）进一步降低了开关损耗，有助于提升电源转换效率。

PR1004T 主要用于需要高效功率开关的便携式电子设备和电源管理系统中。典型应用包括电池供电设备的负载开关、DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电源管理模块以及各类低电压高效率的开关电源电路。由于其低导通电阻和小型封装，该器件特别适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、无线通信模块以及其他对空间和能效要求较高的电子产品中。
　　此外，PR1004T 也常用于电机驱动、LED 照明控制、电源分配系统等应用场景。其适用于需要在有限空间内实现高效能、低功耗设计的场合。

Si2302DS, AO3400A, IRML2803, FDMC6670