型号：PQLQR2L4N7ST-D
　　类型：双通道逻辑电平转换器
　　通道数：2
　　电源电压VCCA：1.65V ~ 5.5V
　　电源电压VCCB：1.65V ~ 5.5V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装/包装：12-QFN（2x2）
　　传播延迟典型值：5ns
　　静态电流（最大）：10μA
　　输入电压兼容性：支持1.8V、2.5V、3.3V、5V逻辑电平
　　转换方向：双向，无方向控制引脚
　　输出驱动能力：4-LVTTL或8-CMOS负载
　　ESD保护：HBM > 2000V

PQLQR2L4N7ST-D的核心特性之一是其自动感应双向转换功能，无需外部方向控制信号即可实现两个不同电压域之间的数据传输。这一机制基于内部上拉电阻与MOSFET结构的协同工作，在任一端口检测到低电平信号时，自动导通通路，实现电平转换。这种设计极大简化了接口电路的设计复杂度，特别适用于I2C总线这类开漏结构的通信协议。
　　该器件支持宽范围的电源电压配置，VCCA和VCCB可独立工作于1.65V至5.5V之间，允许诸如1.8V微控制器与5V传感器之间的无缝通信。由于其低阈值MOSFET设计，即使在低电压操作下也能保持良好的开关性能和信号完整性。此外，器件具有极低的静态电流消耗（最大仅10μA），非常适合对功耗敏感的应用，如可穿戴设备、物联网终端和无线传感节点。
　　PQLQR2L4N7ST-D具备出色的抗干扰能力，输入端具有高噪声容限，能够在恶劣电磁环境中稳定运行。其CMOS工艺保证了低漏电流和高输入阻抗，避免对前级电路造成负载影响。同时，输出端可直接驱动标准LVTTL或CMOS逻辑负载，兼容性强。
　　该芯片采用12-pin QFN封装（2mm x 2mm），体积小巧，热阻低，有利于提高系统集成度并改善散热性能。内置ESD保护电路（HBM模式超过2000V），增强了器件在生产、装配和使用过程中的可靠性，降低了因静电损伤导致的失效风险。整体设计符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于自动化表面贴装生产线。

PQLQR2L4N7ST-D常用于多电压系统中的数字信号电平转换场景。典型应用包括微控制器单元（MCU）与外围器件之间的接口匹配，例如将3.3V的ARM Cortex-M系列MCU连接到5V工作的EEPROM、ADC或多路复用器。在I2C通信系统中，由于总线通常采用开漏结构并依赖上拉电阻，PQLQR2L4N7ST-D能够有效实现主从设备间跨电压通信，而无需额外的方向控制逻辑。
　　该器件也广泛应用于便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑和智能手表，用于连接不同电压域的功能模块，比如传感器集线器、触控屏控制器和电源管理IC之间的信号交互。在工业控制系统中，可用于PLC模块或远程IO单元中实现低电压逻辑与较高电压现场设备的安全隔离通信。
　　此外，PQLQR2L4N7ST-D适用于现场可编程门阵列（FPGA）或片上系统（SoC）的I/O扩展设计，当FPGA核心电压为1.8V而外设接口需3.3V时，该电平转换器可作为桥梁保障信号完整性。在物联网网关、无线模块（如Wi-Fi、Bluetooth LE）与主机处理器之间，同样可利用其低功耗和小尺寸优势构建高效可靠的通信链路。

AP2L4N7ST-D