时间：2025/8/28 22:10:14
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PQ7DV10 是一款由Renesas（瑞萨电子）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于高功率和高频应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优良的热性能，适合用于电源转换、电机控制和DC-DC转换器等场景。PQ7DV10 通常采用5-PowerSOP（也称为TSOP-5L）封装，适用于表面贴装技术。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：10A
漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为28mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：4.8W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：5-PowerSOP（TSOP-5L）
PQ7DV10 MOSFET采用先进的沟槽式技术，确保了较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高效率。此外，该器件的高电流承载能力和优良的热稳定性使其适用于高功率密度设计。
其封装设计支持表面贴装技术，有助于提高PCB空间利用率，并具备良好的散热性能。PQ7DV10 还具有快速开关特性，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器。
内置的栅极保护二极管提高了器件在恶劣环境下的可靠性和稳定性。此外，其±20V的栅极-源极电压容限使其在多种驱动电路中具有更高的灵活性和兼容性。
PQ7DV10 MOSFET主要用于电源管理系统，包括但不限于DC-DC转换器、电机控制电路、负载开关、电池管理系统和工业自动化设备中的高侧或低侧开关应用。
它也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和电动水泵控制模块。此外，由于其优异的开关特性和高可靠性，PQ7DV10还被应用于通信设备和消费类电子产品中的高效能电源管理模块。
Si4410BDY, IRF7413PBF, AO4406A
