PQ5TS1C 时间：2025/8/28 3:21:01 阅读：17

PQ5TS1C 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，适用于各种电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备。PQ5TS1C 采用先进的沟槽式栅极技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，同时保持较小的封装尺寸，有助于提高电路的功率密度。其工作电压和电流参数使其成为中低功率电源应用中的理想选择。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.5A（在 25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：36mΩ（最大值，典型值 23mΩ）
　　功率耗散（Ptot）：4W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　引脚数：8
　　技术：增强型沟槽 MOSFET

特性

PQ5TS1C 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够在低电压条件下实现极低的导通电阻，从而显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的 Rds(on) 最大值为 36mΩ，在 5A 电流下导通压降仅为 0.198V，大大减少了功率损耗。
　　此外，PQ5TS1C 的封装采用 PowerFLAT 5x6 封装技术，具有良好的热性能和电流承载能力，适合高密度 PCB 布局。其小型封装尺寸（5mm x 6mm）使得在紧凑型电子产品中应用非常便捷，同时支持自动贴片工艺，提高了生产效率。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 4.5V 至 20V，兼容多种驱动电路，包括常见的 5V 和 12V 控制系统。其快速开关特性使其适用于高频开关电源，降低了开关损耗并提高了整体效率。
　　PQ5TS1C 还具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下稳定工作，确保长期运行的可靠性。其内置的体二极管具有快速恢复特性，适用于需要反向能量回收的应用场景。

应用

PQ5TS1C 被广泛应用于各类电源管理系统，如同步整流、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关和电机驱动电路。在便携式电子设备中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中，该 MOSFET 可用于高效能电池管理电路，实现快速充电和低功耗运行。
　　此外，PQ5TS1C 也适用于工业控制设备、服务器电源、LED 照明调光系统以及各种需要高效率、小尺寸功率开关的场合。其低导通电阻和高频率响应特性使其成为高性能电源转换系统中的理想选择。