类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大漏极电流(Id)：20A
　　导通电阻(Rds(on))：0.23Ω（典型值）
　　栅极电荷(Qg)：45nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散(Pd)：125W
　　最大工作频率：200kHz

PQ50-20S-FL具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其500V的漏源电压额定值使其能够承受较高电压应力，适用于高压电源转换和开关应用。其次，20A的漏极电流能力确保该器件在中高功率应用中能够稳定运行，满足对大电流负载的驱动需求。
　　该MOSFET的导通电阻仅为0.23Ω，在同类产品中处于较低水平，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，其栅极电荷(Qg)为45nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度，从而减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电路。
　　该器件采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，可在较高环境温度下可靠运行。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种严苛的工业环境条件。PQ50-20S-FL还具有较强的抗冲击和抗干扰能力，能够在瞬态负载条件下保持稳定性能。
　　由于其优异的电气特性，PQ50-20S-FL广泛用于电源转换器、DC-DC变换器、电机驱动器、UPS系统、太阳能逆变器以及工业自动化控制设备中。该器件的高可靠性和良好的热管理能力，使其成为众多中高功率应用的首选MOSFET之一。

PQ50-20S-FL适用于多种高功率和高频应用，包括但不限于：电源管理系统、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机控制电路、UPS不间断电源、LED驱动电源、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率控制模块。其高效率和良好的热性能使其成为对功耗和散热要求较高的应用场合的理想选择。

PQ50-20S-FL的替代型号包括：IRF540N、STP20NK50Z、FDPF50N20、TK32A50D、IXFH20N50P等。