PQ3TR5M9R 时间：2025/8/28 5:09:49 阅读：3

PQ3TR5M9R 是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET专为高效率电源转换系统设计，适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统等应用。PQ3TR5M9R采用小型表面贴装封装（如TSMT4或DFN2020），具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性等特点，非常适合在高密度电源设计中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5.6A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为5.6mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：2.0W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：DFN2020或TSMT4

特性

PQ3TR5M9R MOSFET具有多项优异的电气和热性能，能够满足现代高效率电源系统的需求。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其在大电流工作条件下表现更为出色。
　　其次，该器件具备较高的耐压能力，漏源电压（VDS）最高可达30V，使其适用于多种中低压功率转换应用。栅源电压容限为±20V，增强了栅极驱动电路的兼容性和稳定性。
　　此外，PQ3TR5M9R采用小型DFN2020或TSMT4封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。该封装还具备良好的散热性能，确保在高功率密度环境下仍能保持稳定运行。
　　器件的热阻（Rth）较低，有助于减少热量积聚，提升长期工作的可靠性。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于广泛的工业和消费类应用场景。
　　值得一提的是，PQ3TR5M9R具有良好的短路和过载耐受能力，在瞬态负载变化或异常工作条件下仍能保持稳定，从而提高系统的整体可靠性。

应用

PQ3TR5M9R MOSFET广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。例如，它可用于DC-DC降压/升压转换器中的主开关器件，以实现高效率的能量转换；也可用于同步整流器中，替代传统二极管，从而降低导通压降并提高效率。
　　此外，该MOSFET适用于电池管理系统（BMS），用于控制电池充放电路径，确保电池组的安全运行。在负载开关电路中，PQ3TR5M9R可作为高侧或低侧开关，用于控制电源的通断，适用于便携式设备、服务器电源和工业控制系统。
　　由于其优异的导通特性和小型封装，PQ3TR5M9R也常用于电机驱动电路、LED照明驱动器以及各类电源适配器中，特别是在对空间和效率要求较高的设计中表现尤为突出。