PQ2ZT15U 时间：2025/8/28 5:44:19 阅读：12

PQ2ZT15U是一款由罗姆（Rohm）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用TZP（Trench-Zener Package）封装技术，具有优良的散热性能和稳定性。PQ2ZT15U设计用于在高频率开关条件下提供高效的操作，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池供电设备等应用。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：15A
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V, Id=7.5A时为28mΩ
　　封装类型：TZP

特性

PQ2ZT15U具有多项显著的技术特点和性能优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。该MOSFET采用了先进的沟槽（Trench）技术，使得器件在保持高电流能力的同时，还具有优异的热稳定性。
　　其次，PQ2ZT15U的封装形式（TZP）优化了热管理和空间利用率，适合在高密度PCB布局中使用。该封装不仅提供了良好的散热效果，还增强了机械强度，提升了器件在恶劣环境下的可靠性。
　　此外，PQ2ZT15U的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许设计者在不同的应用中灵活选择驱动电路。同时，其高耐压能力（30V Vds）使其适用于多种电源管理场景，包括电池供电设备和高频率DC-DC转换器。
　　值得一提的是，该MOSFET的快速开关特性降低了开关损耗，有助于提高系统的响应速度和效率。结合其低导通电阻和优良的散热设计，PQ2ZT15U非常适合在需要高效率和高稳定性的应用中使用。

应用

PQ2ZT15U因其高性能和可靠性，被广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理电路，能够有效提升能源利用率和系统稳定性。
　　在工业自动化和电机控制领域，PQ2ZT15U可以用于H桥电路和电机驱动系统，提供高效的功率控制能力。此外，它还适用于电信设备、服务器电源、UPS（不间断电源）系统以及各种高可靠性工业设备。
　　由于其优异的热性能和紧凑的封装设计，PQ2ZT15U也广泛用于汽车电子系统，例如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载信息娱乐系统等，满足汽车电子对高可靠性和小型化设计的需求。