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PQ2TZ55U 发布时间 时间:2025/8/28 8:42:06 查看 阅读:12

PQ2TZ55U是一款由Rohm(罗姆)半导体公司生产的N沟道功率MOSFET,适用于需要高效率和高性能的电源管理系统。该器件采用先进的制造工艺,确保了在高频开关应用中的稳定性和可靠性,同时具备较低的导通电阻,能够有效减少功率损耗。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):4.8A
  导通电阻(Rds(on)):0.045Ω(最大值,@Vgs=10V)
  功率耗散(Pd):2W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-724

特性

PQ2TZ55U具备多项优良特性,包括低导通电阻、高电流容量和快速开关速度,适用于高效率的DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路。
  首先,PQ2TZ55U的低导通电阻(Rds(on))有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统整体效率。在高电流应用中,这种特性尤为重要,因为它可以降低MOSFET的温升,提升可靠性。
  其次,该器件的额定漏极电流为4.8A,足以满足大多数中等功率应用的需求。此外,其最大漏源电压为30V,使其适用于各种低压电源转换系统。
  该MOSFET采用SOT-724封装,具有较小的尺寸和良好的热性能,适用于空间受限的便携式设备和高密度电路板设计。其封装设计还有助于提高散热效率,确保器件在高负载条件下稳定运行。
  PQ2TZ55U还具备良好的栅极驱动兼容性,支持标准逻辑电平控制,可直接由微控制器或逻辑电路驱动,简化了电路设计并降低了外部驱动电路的成本。
  最后,该器件的工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,适应各种严苛环境条件下的稳定运行,适合工业级和汽车电子应用。

应用

PQ2TZ55U广泛应用于多个领域,包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备、电机控制和汽车电子系统。
  在电源管理方面,PQ2TZ55U常用于同步整流器和功率开关电路,以提高电源转换效率。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率开关电源的理想选择。
  在DC-DC转换器中,该MOSFET可用于升压(Boost)或降压(Buck)拓扑结构,为便携式设备、笔记本电脑和服务器提供稳定的电压调节。
  作为负载开关,PQ2TZ55U可用于控制电池供电系统的电源分配,实现高效节能和快速启停功能。
  在电机控制应用中,PQ2TZ55U可用于驱动小型直流电机、步进电机或风扇,适用于工业自动化设备和家用电器。
  此外,该器件的高可靠性和宽温度范围也使其适用于汽车电子系统,如车身控制模块、车载充电器和电动工具等。

替代型号

Si2302DS, FDS6675, AO3400A, IRF7309

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