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PQ2TZ55 发布时间 时间:2025/8/28 5:05:15 查看 阅读:11

PQ2TZ55是一款由罗姆(Rohm)公司生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高频开关应用。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,适用于诸如DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电源管理系统等场景。PQ2TZ55采用小型SOT-724(也称为SOT-5)封装,适合高密度PCB布局。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):20V
  栅源电压(VGS):±8V
  漏极电流(ID):100mA(最大值)
  导通电阻(RDS(on)):典型值为3.5Ω(在VGS=4.5V时)
  栅极电荷(Qg):约2.3nC
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-724(SOT-5)

特性

PQ2TZ55具有多项优异的电气和物理特性,使其在低功率应用中表现出色。
  首先,该MOSFET具有较低的导通电阻(RDS(on)),这有助于降低导通损耗并提高能效。其导通电阻在VGS=4.5V时仅为3.5Ω,非常适合用于低电压应用,如便携式设备和小型电子系统。
  其次,PQ2TZ55采用小型SOT-724封装,具有较高的封装密度,适用于空间受限的设计。这种封装还具备良好的热性能,能够在小型化设计的同时保持适当的散热能力。
  此外,该器件具有快速的开关速度,能够支持高频操作,从而提高系统的整体效率并减少外部元件的尺寸。这使得PQ2TZ55在DC-DC转换器和负载开关应用中表现出色。
  最后,PQ2TZ55的栅极驱动电压范围较宽,支持在2.5V至8V之间的栅极电压操作,适用于多种驱动电路,包括由微控制器或低压逻辑电路控制的应用。
  综上所述,PQ2TZ55是一款性能稳定、体积小巧、适用于多种低功率高频开关应用的N沟道MOSFET。

应用

PQ2TZ55广泛应用于需要低功耗、小尺寸和高效能的电子系统中。
  在电源管理方面,该器件可用于DC-DC转换器、LDO稳压器的辅助开关以及负载开关控制,实现高效能的电压转换与管理。其快速开关特性和低导通电阻有助于提升系统效率并减少能耗。
  在嵌入式系统和便携式电子产品中,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,PQ2TZ55可以用于控制电源分配、LED驱动以及传感器供电管理,满足低电压、低功耗的设计需求。
  此外,该MOSFET还可用于电机控制、继电器驱动、信号切换以及各种数字控制电路中,适用于需要高频操作和小尺寸封装的应用场景。
  由于其宽广的栅极电压适应能力,PQ2TZ55也可与微控制器、FPGA或其他逻辑电路配合使用,实现灵活的电源控制和系统优化。

替代型号

2N7002, BSS138, FDN302P, FDV301N

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