时间：2025/8/28 22:55:50
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PQ20WZ5U 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等高效率功率系统中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于中高功率应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：10A（在 Tc=25℃）
功耗（Pd）：83W
导通电阻（Rds(on)）：0.63Ω（最大值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-220F
PQ20WZ5U 的核心优势在于其出色的导通性能和热管理能力。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，从而提高系统的整体效率。此外，该器件采用 TO-220F 封装，具有良好的散热性能，适合在高功率密度环境中使用。该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发电压冲击下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽（±30V），允许设计者在不同驱动条件下灵活使用。此外，其快速开关特性可减少开关损耗，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。PQ20WZ5U 还具备良好的抗过载能力和短路保护性能，适用于工业控制、电源适配器、电动工具、不间断电源（UPS）等多种应用领域。
PQ20WZ5U 常用于各类电源系统中，如 AC-DC 电源适配器、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器和电池管理系统。其高耐压、低导通电阻和良好热性能使其在工业自动化设备、电动车辆、通信设备和消费类电子产品中均有广泛应用。
IRFZ44N, FDPF10N20, STP10NM20, SiHF10N20C-E3
