时间：2025/8/28 7:10:07
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PQ20WZ1UJOOH是一款由Rohm Semiconductor生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具备优异的导通特性和低功耗特性，适用于各种高要求的电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
漏极电流（Id）：4.6A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：88mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSMT（超小型表面贴装）
功率耗散（Pd）：1.6W
PQ20WZ1UJOOH具有多个关键特性，使其在电源管理领域中表现优异。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET采用了先进的Trench MOSFET结构，提供更高的开关速度和更低的栅极电荷，从而减少开关损耗。此外，该器件具有较高的热稳定性和可靠性，适用于高负载和高温环境下的应用。其TSMT封装设计不仅节省空间，还便于自动化生产和散热管理。PQ20WZ1UJOOH还具备良好的抗静电能力和过热保护特性，确保在复杂电磁环境中稳定工作。
PQ20WZ1UJOOH广泛应用于多种电源管理系统和功率控制电路中，例如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、便携式电子产品、汽车电子系统以及工业自动化设备。其高效率和小型封装使其特别适用于空间受限且对功耗敏感的设计。
PQ20WZ1UJ00H
