PQ20VZ5U 时间：2025/8/28 9:45:44 阅读：20

PQ20VZ5U 是一款由罗姆（Rohm）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源转换和负载开关等应用。该器件采用高性能的Trench MOSFET结构，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适用于DC-DC转换器、电池管理系统、电源管理IC外围开关以及便携式设备电源控制等场景。PQ20VZ5U封装形式为SOT-23，适合高密度贴片安装，具有良好的热稳定性和电气性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±8V
　　最大连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大32mΩ（在Vgs=4.5V时）
　　功率耗散（Pd）：1W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

PQ20VZ5U 具备多项优良电气特性，首先是其低导通电阻，最大仅为32mΩ，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件的漏源电压为20V，能够支持中低压电源系统中的开关控制，例如用于DC-DC降压或升压转换器。其最大连续漏极电流可达4A，适用于中等功率的电源管理应用。
　　此外，PQ20VZ5U 的栅极驱动电压范围宽广，支持常见的3.3V至5V逻辑电平直接驱动，方便与MCU、PMIC或驱动IC配合使用。其栅源电压最大为±8V，具有良好的栅极耐压能力，增强了在复杂电磁环境下的可靠性。
　　该MOSFET的封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装封装，非常适合空间受限的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和电池供电系统。同时，SOT-23封装具有良好的散热性能，能够在有限的空间内保持稳定的工作温度。
　　值得一提的是，PQ20VZ5U 还具备快速开关特性，具有较低的开关损耗，适用于高频开关电源应用。其内部结构优化设计减少了寄生电容，从而提高了开关速度和效率。此外，该器件还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。

应用

PQ20VZ5U 常用于各种电源管理系统和功率控制电路中。典型应用包括同步整流DC-DC转换器、负载开关、电池充电与管理系统、便携式设备电源控制、LED背光驱动、热插拔电路保护以及各种低电压高效率电源转换器。其低导通电阻和高电流能力使其在需要高效能和小型化设计的电子产品中尤为受欢迎。
　　在同步整流电路中，PQ20VZ5U 可作为主开关器件，与另一只MOSFET配合实现高效率的能量转换。在负载开关应用中，它可以作为主控开关，控制电源的通断以节省功耗。此外，PQ20VZ5U 还广泛应用于电池供电设备中的电源管理模块，用于提升系统效率并延长电池使用寿命。
　　由于其封装小巧、性能稳定，PQ20VZ5U 也常用于各类智能终端设备的电源控制部分，如智能手表、无线耳机、无人机、IoT设备等，是实现高效、小型化电源设计的理想选择。