类型：P沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：-20A
　　最大漏源电压（Vds）：-20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±10V
　　导通电阻（Rds(on)）：@Vgs = -4.5V, Id = -10A时为22mΩ；@Vgs = -2.5V, Id = -7A时为30mΩ
　　功耗（Pd）：2.3W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TSMT6（热增强型表面贴装封装）

PQ20VB1E具备多项优势特性，首先是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗，提高系统效率。在-10A的漏极电流下，Rds(on)仅为22mΩ，使得该器件在高负载应用中表现优异。
　　其次，PQ20VB1E采用了TSMT6热增强型封装，具有良好的热管理性能。在高电流工作条件下，该封装能够有效散热，从而保证器件的稳定性和可靠性。
　　此外，该MOSFET支持宽范围的栅极电压控制（±10V），具备较高的设计灵活性，可适用于多种驱动电路配置。在较低的栅极电压（如-2.5V）下，PQ20VB1E仍能维持较低的导通电阻，适用于低电压驱动应用。
　　其封装尺寸紧凑，适合空间受限的设计场景，如智能手机、平板电脑和便携式电源管理系统。PQ20VB1E还具备良好的抗静电能力和过热保护性能，增强了器件在严苛环境下的稳定运行能力。

PQ20VB1E主要应用于需要高效能功率管理的电子设备中。例如，在电池管理系统中，该器件可用于高侧开关，实现对负载的有效控制，减少待机功耗。
　　在便携式电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能移动设备，PQ20VB1E被用于电源切换和负载开关，提供高效的电源管理和节能效果。
　　此外，该MOSFET也可用于DC-DC转换器、电机控制电路、LED驱动器以及各类工业自动化控制系统中。由于其低导通电阻和高电流处理能力，PQ20VB1E在需要快速开关和高效率的应用场景中表现出色。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载电源管理系统、车载娱乐系统以及车载充电器等应用，提供可靠的功率控制解决方案。

Si2301DS, IRML6401, FDMS3610