时间：2025/8/28 22:40:58
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PQ200WN3MZPH是一款由Toshiba（东芝）公司制造的MOSFET模块，广泛应用于功率电子设备中。该模块采用双MOSFET结构，具备高效率、低损耗和高可靠性等特性，适用于工业设备、电动工具、电机控制、电源管理等领域。
类型：双MOSFET模块
漏源电压（Vds）：30V
连续漏极电流（Id）：100A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：约3.6mΩ（典型值）
栅极驱动电压：10V
封装形式：PQFN（Power Quad Flat No-lead）
工作温度范围：-55°C至150°C
安装类型：表面贴装
功耗（Pd）：400W（最大）
PQ200WN3MZPH采用先进的功率封装技术，提供了优异的热性能和电气性能。其低导通电阻特性可有效降低功率损耗，提高系统效率。该模块内部集成了两个N沟道MOSFET，支持高电流输出，适用于高功率密度设计。此外，该器件具备良好的短路耐受能力和过热保护性能，能够在恶劣环境下稳定运行。PQFN封装形式不仅减小了PCB布局空间，还提升了散热能力，适用于紧凑型电源系统设计。
该模块的栅极驱动设计兼容标准逻辑信号，方便与各种控制器或驱动IC配合使用。其高频开关特性使其适用于高频率工作环境，有助于减小外部滤波元件的体积。此外，PQ200WN3MZPH还具备出色的抗电磁干扰（EMI）能力，有助于提高系统的稳定性和可靠性。
PQ200WN3MZPH主要用于各种高功率应用场合，包括但不限于电动工具、无刷直流电机驱动、工业自动化设备、电源转换器（如DC/DC转换器、AC/DC转换器）、电池管理系统（BMS）、储能系统、电动车控制器、UPS不间断电源等。其高电流能力和紧凑封装使其成为高密度功率系统的理想选择。
PQ200WN3MZPH的替代型号包括PQ200WN3MVH、PQ200WN3MX和PQ200WN3MH等。
