时间：2025/8/28 9:24:31
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PQ1X291M2ZPH是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率MOSFET的一种。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备以及其他需要高效能开关性能的场合。PQ1X291M2ZPH采用了N沟道增强型MOSFET结构，具有较低的导通电阻和优异的开关特性，适合用于高效率的电源系统设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大漏极电流（Id）：6A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：约29mΩ（在Vgs=10V时）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V至2.5V
最大工作温度：150°C
封装形式：TSMT4（表面贴装，4引脚）
PQ1X291M2ZPH具备多项优异的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高整体系统的能效。其次，该MOSFET具有快速的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外部电感和电容的尺寸，提升电源模块的功率密度。此外，该器件的栅极驱动电压较低，可以在较低的Vgs下工作，适用于现代低电压控制电路，如由微控制器或数字信号处理器（DSP）驱动的应用。封装上采用TSMT4形式，具有良好的散热性能，并且适合自动化SMT（表面贴装技术）生产工艺，提高了组装效率和可靠性。此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
PQ1X291M2ZPH常用于各种电源管理电路，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、LED驱动器以及电池供电设备中的功率开关部分。其低导通电阻和快速开关特性也使其适用于高效率电源适配器、笔记本电脑电源管理系统、智能手机和其他便携式电子设备中的电源转换模块。
SiSS190N10C, AO4406, IRF7404, FDS6680, NVTFS5C410NL
