PQ1X181M2ZP 时间：2025/8/28 2:35:01 阅读：5

PQ1X181M2ZP 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的电子电路中。这款MOSFET具有较低的导通电阻、高耐压和大电流处理能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他功率管理应用。PQ1X181M2ZP采用先进的半导体制造工艺，确保了其在高频率开关条件下的稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：4.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω @ VGS = 4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSMT6（超薄小型晶体管6引脚封装）
　　安装类型：表面贴装

特性

PQ1X181M2ZP MOSFET具有多项优异特性，适用于多种功率管理应用。其低导通电阻（RDS(on)）为0.18Ω，在VGS为4.5V时即可实现高效的电流传输，减少了导通损耗，提高了整体系统的能效。器件的漏源电压（VDS）为20V，栅源电压（VGS）为±12V，使其能够在中等电压范围内安全运行，适用于多种低压功率应用。
　　该器件的连续漏极电流为4.5A，具备较强的电流处理能力，适用于需要较高负载能力的电路设计。此外，PQ1X181M2ZP采用了TSMT6封装，这是一种超薄小型晶体管封装技术，具有较小的体积和良好的热性能，适用于高密度PCB布局和便携式设备中的应用。
　　由于其优异的电气特性和封装优势，PQ1X181M2ZP能够在高频开关环境下保持稳定性能，减少了开关损耗，并提高了系统的响应速度。其宽工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在极端环境下的可靠运行，适用于工业级和汽车电子应用。

应用

PQ1X181M2ZP 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：适用于小型化电源适配器、充电器等设备，提供高效的功率转换。
　　2. DC-DC 转换器：用于电池供电设备中的电压调节，如便携式电子产品、手持设备等。
　　3. 负载开关：作为负载控制开关，用于智能电池管理系统、电源管理单元等。
　　4. 电机驱动器：适用于小型电机的控制电路，提供可靠的开关性能。
　　5. 汽车电子：如车载充电系统、LED 照明驱动、车载信息娱乐系统等。
　　6. 工业自动化：用于工业控制系统中的功率开关和传感器电源管理。