类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
　　沟道类型：P沟道
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：-3.7A（Tamb=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.13Ω（典型值）
　　封装类型：TSMT6
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

PQ1T331M2ZP具备多项优异特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其P沟道结构允许在低电压条件下实现高效的电流控制，适用于需要低功耗和高可靠性的设计。其次，该MOSFET的导通电阻仅为0.13Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的封装形式为TSMT6，属于小型表面贴装封装，适合高密度PCB布局。
　　在电气性能方面，PQ1T331M2ZP的最大漏源电压为20V，栅源电压范围为±8V，能够承受一定的电压波动，增强了电路的稳定性。其最大连续漏极电流为-3.7A，在高温环境下仍能保持良好的性能。该器件还具备良好的热稳定性，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，适应多种工业环境。
　　从制造工艺来看，PQ1T331M2ZP采用了先进的半导体工艺，确保了器件的高可靠性与一致性。其表面贴装封装形式不仅提高了焊接的可靠性，也便于自动化生产，降低了制造成本。因此，该MOSFET适用于消费类电子产品、工业控制系统、通信设备以及便携式电源管理设备等多种应用场景。

PQ1T331M2ZP主要用于各类功率管理电路中，例如DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块、电池供电设备等。它也适用于需要高效能和低功耗特性的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备。此外，该MOSFET还可用于工业自动化设备、传感器模块和小型电机控制系统中。

Si2302DS、AO4406A、FDC6303、FDV303P