类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.4mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：LFPAK56

PQ1R503M2ZPH 是一款高性能的N沟道MOSFET，具备低导通电阻和高电流能力，适合用于高效率电源转换系统。其导通电阻仅为5.4mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。此外，该器件能够承受高达50A的连续漏极电流，适用于需要大电流输出的应用场景。MOSFET的栅极耐压为±20V，使其在高电压驱动条件下也能保持稳定运行，减少因电压波动引起的失效风险。该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，适用于各种严苛的工业环境。PQ1R503M2ZPH 采用了LFPAK56封装技术，具备优异的散热性能，能够在高功率密度条件下有效散热，延长器件寿命。这种封装还提供了更高的机械强度和更简便的自动化装配过程，适用于现代自动化生产线。此外，该MOSFET具有出色的短路耐受能力，可在异常工况下提供额外的安全保障。综合来看，PQ1R503M2ZPH 是一款适用于高功率、高效率电源设计的理想选择，广泛用于DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关以及各种电源管理模块。

PQ1R503M2ZPH MOSFET因其高电流能力和低导通电阻，常用于需要高效能和高稳定性的电源系统。典型应用包括同步整流的DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具和电动车辆的功率模块、工业电源设备以及高功率负载开关。此外，该器件也适用于服务器和通信设备中的电源模块，提供高效的能量转换和稳定的电流控制。

PQ1R503M2ZPH 的替代型号包括SiS886DN-T1-GE3（Vishay）、IRF3205（Infineon）、FDMS8878（onsemi）等。