类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为80mΩ（典型值为60mΩ）
　　功耗（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TSMT6（热增强型）

PQ1R44 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流工作条件下，器件的功率损耗大大降低，从而提高了系统的整体效率。该 MOSFET 在高频率开关应用中表现出色，具有快速的开关速度和较低的开关损耗，非常适合用于 DC-DC 转换器和负载开关等高频场景。
　　此外，PQ1R44 采用了热增强型 TSMT6 封装，具有良好的散热性能，可以在高负载条件下保持稳定运行。其较高的栅极耐压能力（±20V）提供了更好的抗过压能力，增强了器件的可靠性。
　　该器件还具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作，适用于工业级和车载电子系统中对温度要求较高的应用场景。其小型化的封装形式也便于在空间受限的设计中使用，提高了 PCB 布局的灵活性。

PQ1R44 主要应用于各类功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备电源管理电路以及汽车电子系统中的功率控制模块。
　　在 DC-DC 转换器中，PQ1R44 可作为高侧或低侧开关，提供高效能的电压转换功能；在电机控制应用中，它可用于实现 PWM 控制，提高电机运行效率；在电池管理系统中，PQ1R44 可用于电池充放电路径的控制与保护。
　　此外，该器件也适用于需要高可靠性和高效率的工业自动化设备、智能电表、LED 照明驱动等应用领域。

Si2302DS, FDN340P, 2N7002K