PQ1R22 时间：2025/12/28 21:14:57 阅读：8

PQ1R22 是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率的功率转换应用，如电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。这款MOSFET具有低导通电阻、高电流容量和小型封装，适用于空间受限的高功率密度设计。PQ1R22的封装形式为SOT-23，是一种常见的表面贴装封装，便于在PCB上进行高密度布局。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：20V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：2.2A（在Vgs=4.5V）
　　导通电阻(Rds(on))：160mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：SOT-23

特性

PQ1R22 MOSFET具备多项优良的电气和物理特性，适合广泛的应用场景。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为160mΩ，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。这在电池供电设备和高效率电源转换器中尤为重要。
　　其次，该MOSFET支持高达2.2A的连续漏极电流，适用于中等功率应用，如DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机驱动和LED照明控制电路。其栅极驱动电压在4.5V时即可实现良好的导通性能，兼容常见的逻辑电平驱动器（如微控制器或PWM控制器）。
　　此外，PQ1R22采用SOT-23封装，具有良好的热性能和机械稳定性。该封装在小型化设计中非常受欢迎，适合高密度PCB布局，同时确保在较高工作温度下仍能保持稳定性能。该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种工业和消费类电子产品。
　　最后，PQ1R22具备良好的抗静电（ESD）能力和较高的可靠性，能够在较为严苛的环境中稳定工作。这些特性使其成为便携式电子设备、智能手机、平板电脑、电源管理模块和工业自动化设备的理想选择。