时间：2025/8/28 7:54:08
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PQ1N333MASPQ是一款由Renesas Electronics生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的工艺技术制造，具备高效率和优异的热性能。
类型：N沟道
漏极电流（ID）：10A
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
导通电阻（RDS(on)）：33mΩ（典型值）
工作温度：-55°C 至 150°C
封装类型：TSOP
安装类型：表面贴装
PQ1N333MASPQ具有低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高耐压能力使其适用于多种电源管理电路，包括DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高电流条件下保持稳定的性能。器件的封装设计优化了热管理，有助于散热，从而提高可靠性。
该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关应用。栅极驱动电压范围较宽，兼容多种驱动电路。同时，PQ1N333MASPQ的可靠性经过严格测试，符合工业标准，适用于对稳定性要求较高的应用场景。
PQ1N333MASPQ常用于电源管理模块、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制电路。它也适用于手持设备和便携式电子产品中的高效能电源设计。
Si4410BDY, IRF7413, FDS6680, IPB013N04NG
