时间：2025/8/28 8:10:59
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PQ1LA153MSPQ 是由日本公司Toshiba（东芝）生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率半导体器件。该器件主要用于高效率、高功率密度的电力电子系统中，如电源转换器、DC-DC变换器、负载开关和电机驱动等应用。PQ1LA153MSPQ 采用PQFN（Power Quad Flat No-leads）封装，具备良好的热性能和电气性能，适合高电流和高频开关操作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：100A（在Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：140nC（典型值）
封装形式：PQFN 5.1x6.4mm
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
PQ1LA153MSPQ MOSFET 具备多项高性能特性，适用于高功率和高效率的应用场景。
首先，该器件的最大漏源电压为30V，最大连续漏极电流可达100A，适用于高功率需求的电路设计，如服务器电源、工业电源系统和电机控制模块。其高电流能力使其能够在高负载条件下稳定运行，不会轻易发生热失效。
其次，PQ1LA153MSPQ 的导通电阻（Rds(on)）仅为1.5mΩ，这显著降低了导通损耗，从而提高系统的整体效率。这对于需要长时间运行的设备尤为重要，例如不间断电源（UPS）、电动车驱动系统和大功率LED照明系统。
此外，该MOSFET采用PQFN封装，尺寸小巧（5.1x6.4mm），并具有优异的散热性能。封装设计有助于降低热阻，提高热传导效率，确保器件在高电流工作时仍能维持较低的工作温度。这种高热效率也使得其在空间受限的设计中具备优势，例如便携式电源设备或高密度PCB布局。
栅极电荷（Qg）为140nC，表明该器件在开关过程中所需的驱动功率较低，适合用于高频开关应用。较低的Qg有助于减少开关损耗，从而提高转换效率，特别是在DC-DC转换器、同步整流器等高频电路中表现优异。
最后，PQ1LA153MSPQ 的工作温度范围为-55℃至150℃，适用于工业级和汽车级应用场景，确保其在极端环境条件下仍能保持稳定运行。
PQ1LA153MSPQ MOSFET 主要应用于需要高电流、高效率和高可靠性的电子系统中。常见应用包括：服务器和通信设备的电源系统、工业自动化控制、电机驱动电路、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关控制以及电动车和无人机的电源模块。其高导通电流能力和低导通电阻使其特别适合用于同步整流和高功率输出转换器，例如在多相电源供应系统中作为功率开关使用。
Si7490DP,TNTC012N03CST
