您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PQ1L253M2SP

PQ1L253M2SP 发布时间 时间:2025/8/28 6:51:42 查看 阅读:7

PQ1L253M2SP 是一款由Rohm(罗姆)公司生产的N沟道功率MOSFET,主要用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用。该器件采用DFN1006-3封装,体积小巧,适用于便携式设备和高密度电路设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  连续漏极电流(Id):2.5A
  导通电阻(Rds(on)):100mΩ(典型值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1.3V ~ 2.0V
  功耗(Pd):200mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

PQ1L253M2SP具有低导通电阻,可减少导通损耗,提高电源转换效率。其采用DFN1006-3封装设计,具有较小的尺寸和良好的散热性能,适用于紧凑型电路设计。此外,该器件具备较高的热稳定性和可靠性,适合在高温环境下工作。其栅极驱动电压范围较宽,可在1.3V至2.0V之间正常工作,适用于多种控制电路。
  该MOSFET的结构设计优化了开关性能,降低了开关损耗,有助于提高整体系统的能效。同时,其良好的热阻特性可有效降低器件温度,延长使用寿命。PQ1L253M2SP还具备较强的抗静电能力,能够承受一定水平的静电放电,提升器件在实际应用中的稳定性。

应用

PQ1L253M2SP广泛应用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、数码相机等的电源管理模块。此外,它还适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各类低电压高效率的开关电源电路。

替代型号

PQ1L253M2SP的替代型号包括Rohm的PQ1L253M2SC和PQ1L253M2SH,以及类似规格的MOSFET如Si2302DS和FDN340P。

PQ1L253M2SP推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PQ1L253M2SP资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

PQ1L253M2SP参数

  • 标准包装1
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 稳压器 - 线性
  • 系列-
  • 稳压器拓扑结构正,固定式
  • 输出电压2.5V
  • 输入电压最高 16V
  • 电压 - 压降(标准)0.3V @ 300mA
  • 稳压器数量1
  • 电流 - 输出300mA(最小值)
  • 电流 - 限制(最小)-
  • 工作温度-30°C ~ 80°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-89-5/6
  • 供应商设备封装SOT-89
  • 包装剪切带 (CT)
  • 其它名称425-1651-1