类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：3A
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：9.5nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSON

PQ1L183M2SPQ具有多项优异的电气和热管理特性。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　该MOSFET采用先进的沟槽式结构技术，确保在高电流负载下仍能保持稳定的工作状态。
　　其栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度，从而减少开关损耗，适用于高频开关电源应用。
　　TSON封装提供了良好的热传导性能，使器件在高功率工作条件下仍能保持较低的结温，延长使用寿命。
　　此外，PQ1L183M2SPQ具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发性电压冲击下保持稳定运行，提高系统可靠性。
　　该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，符合现代电子产品对环保性能的要求。

PQ1L183M2SPQ广泛应用于多个领域，包括电源管理模块、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、负载开关控制、电机驱动电路以及便携式电子设备的功率管理单元。
　　在服务器、笔记本电脑和工业控制系统中，PQ1L183M2SPQ可作为高效率同步整流MOSFET使用，提高电源转换效率并减少热量产生。
　　在电机驱动和继电器控制电路中，该器件可作为高速开关元件，实现精确的功率控制。
　　由于其紧凑的TSON封装设计和良好的热管理性能，PQ1L183M2SPQ也适用于空间受限的高密度电路板设计，如智能电表、嵌入式系统和物联网（IoT）设备中的电源管理模块。
　　此外，PQ1L183M2SPQ还可用于LED照明驱动、USB PD电源管理、无线充电系统等新兴应用领域。

Si2302DS、FDN340P、DMG3415V、AO3400A、BSS138