类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：1.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.26Ω @ Vgs=4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.33Ω @ Vgs=2.5V
　　功率耗散（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOP-8

PQ1DC15F1P MOSFET具备多项优异特性，适用于高性能电源管理系统。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下的能量损耗最小化，从而提高整体系统效率。在Vgs为4.5V时，Rds(on)仅为0.26Ω，而在更低的栅极电压（2.5V）下仍保持0.33Ω的低阻值，使其兼容多种驱动电路。
　　其次，该器件支持高达1.5A的连续漏极电流，适用于中等功率的开关应用。20V的漏源电压（Vds）额定值使其在低压电源转换系统中具备良好的稳定性和抗电压波动能力，适用于电池供电设备、DC-DC转换器及负载开关电路。
　　此外，PQ1DC15F1P 采用SOP-8封装，体积小巧，便于PCB布局并提高系统集成度。该封装还具有良好的散热性能，有助于在高频率开关操作中维持较低的温升。
　　该MOSFET具备±12V的栅源电压耐受能力，增强了其在不同驱动条件下工作的可靠性。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保其在恶劣工业环境下的稳定运行。

PQ1DC15F1P MOSFET适用于多种电子系统，尤其是在对效率和尺寸要求较高的场合。它常用于DC-DC降压或升压转换器中作为主开关器件，提升电源转换效率并减少热量产生。在电池管理系统中，该器件可用于充放电控制和负载切换，确保系统在不同工作状态下的稳定性。
　　此外，PQ1DC15F1P 可用于电机驱动电路中的H桥开关，提供快速响应和低损耗控制。其表面贴装封装也使其成为便携式电子设备、智能电表、工业自动化设备以及各类负载开关电路的理想选择。
　　由于其高可靠性和小封装特性，PQ1DC15F1P 还被广泛应用于传感器驱动、LED照明控制、USB电源管理及嵌入式系统的电源控制模块中。

Si2302DS, AO3400A, IRF7304, FDC6303, BSS138K