时间：2025/8/28 5:08:14
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PQ1CZ41H2ZZ 是由罗姆（ROHM）半导体公司生产的一款高性能 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中。PQ1CZ41H2ZZ 采用紧凑的表面贴装封装，适合高密度 PCB 设计，提供优异的电气性能和能效表现。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：40 V
栅源电压 Vgs：±20 V
连续漏极电流 Id：4.1 A
导通电阻 Rds(on)：75 mΩ @ Vgs=10V
导通电阻 Rds(on)：105 mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散 Pd：2 W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-223
引脚数：4
PQ1CZ41H2ZZ MOSFET 具有出色的导通性能和低开关损耗，适用于高效能电源系统。其低导通电阻 Rds(on) 在 Vgs=10V 时仅为 75 mΩ，在 Vgs=4.5V 时为 105 mΩ，这使得器件在高电流应用中仍能保持较低的功耗，从而提升整体能效。该器件采用 SOT-223 封装，具备良好的热管理能力，适用于需要高稳定性和高可靠性的应用场景。
其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平，支持 4.5V 至 10V 的栅极驱动电压，便于与各种控制器或驱动器配合使用。此外，PQ1CZ41H2ZZ 提供了良好的热稳定性和过热保护能力，确保在高温环境下仍能正常工作。
这款 MOSFET 的封装设计支持表面贴装技术，有助于提高 PCB 的装配效率和空间利用率。其在 40V 的漏源电压下可承受高达 4.1A 的连续漏极电流，适合中等功率应用。PQ1CZ41H2ZZ 的高可靠性使其成为消费电子、工业设备和通信设备中的理想选择。
PQ1CZ41H2ZZ MOSFET 主要用于各类电源管理系统，包括同步整流 DC-DC 转换器、电池充电电路、负载开关和电源管理模块。其低导通电阻和高效率特性使其特别适用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备等。在这些应用中，PQ1CZ41H2ZZ 可用于提高能效、延长电池续航时间，并减少发热。
在工业自动化和通信设备中，该器件可用于电源模块、负载切换电路、电机驱动器和电源分配系统。由于其良好的热稳定性和高可靠性，PQ1CZ41H2ZZ 也可用于环境较为严苛的工业控制设备和嵌入式系统。
此外，该 MOSFET 还可用于 LED 照明驱动器、电源适配器和 USB 充电设备等应用，为设计人员提供灵活的解决方案。
Si2302DS, FDMS3618, FDS6675, AO4406A
