时间：2025/8/28 10:02:11
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PQ1CZ41H2ZP 是一款由罗姆（Rohm）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于需要高效能功率管理的应用场景。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：200A
导通电阻（Rds(on)）：1.65mΩ
功率耗散（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：H2ZP
PQ1CZ41H2ZP 具有极低的导通电阻（Rds(on)），这使其在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
该MOSFET采用先进的沟槽栅极结构，优化了导通特性和开关性能，适用于高频开关电源和电机驱动应用。
其高电流承载能力和低热阻特性，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
此外，PQ1CZ41H2ZP 的封装设计具有良好的散热性能，有助于延长器件的使用寿命并提升整体系统可靠性。
PQ1CZ41H2ZP 主要应用于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、电机驱动器和DC-DC转换器。
它也适用于工业自动化设备、电源管理系统以及高性能计算设备中的功率管理模块。
由于其优异的导通特性和高频响应能力，该器件非常适合用于需要高效能功率转换和控制的场合。
PQ1CZ41H2ZP 的替代型号包括 SiS432DN 和 IRF3710，它们在性能和封装上具有相似的特点，适用于类似的功率应用场合。
