PQ1CZ41H2Z 时间：2025/12/28 21:11:03 阅读：11

PQ1CZ41H2Z 是一款由罗姆（Rohm）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等电路中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适合于高效率和高功率密度的设计需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：180W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

PQ1CZ41H2Z具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率。在Vgs=10V时，Rds(on)的典型值仅为1.2mΩ，这使得该器件在大电流应用中依然能够保持较低的温升。
　　其次，该MOSFET具备高电流承载能力，额定连续漏极电流可达50A，适用于高功率输出的场合。同时，其最大漏源电压为40V，能够满足大多数中压电源系统的需求。
　　此外，PQ1CZ41H2Z采用了TO-247封装形式，这种封装具备良好的热管理和高耐压能力，适合于高功率密度和高温工作环境。其最大功耗为180W，有助于在无风扇设计中实现更高的可靠性。
　　该器件还具有良好的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。栅源电压范围为±20V，确保了在各种驱动条件下MOSFET的安全运行。
　　最后，PQ1CZ41H2Z符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子产品的设计。

应用

PQ1CZ41H2Z广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　1. **电源管理**：适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统，因其低导通电阻和高效率，非常适合用于提高电源转换效率。
　　2. **工业自动化**：在电机驱动、伺服控制器和工业电源模块中作为功率开关使用，具备高可靠性和优异的热稳定性。
　　3. **汽车电子**：用于车载充电系统、DC-DC变换器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）中，满足汽车电子对可靠性和环境适应性的严格要求。
　　4. **新能源设备**：如太阳能逆变器、储能系统和风能变流器，适用于高效率和高功率密度的设计需求。
　　5. **消费类电子产品**：如高性能笔记本电脑、服务器电源和游戏主机电源模块中，用于实现高效的电源转换和管理。