PQ1CZ41是一款由罗姆(Rohm)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,适用于高效率电源转换系统,如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和负载开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术,以实现低导通电阻和优异的开关性能。PQ1CZ41通常采用SOT-23或DFN等小型封装形式,适合高密度电路设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):20V
栅源电压(VGS):±12V
连续漏极电流(ID):4.1A(在25°C)
导通电阻(RDS(on)):27mΩ(典型值,VGS=4.5V)
功率耗散(PD):2.5W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:SOT-23或DFN
栅极电荷(Qg):10nC(典型值)
开关时间(ton/toff):20ns/10ns(典型值)
PQ1CZ41具备多个关键特性,使其在电源管理应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件采用先进的沟槽栅极结构,提供良好的电场分布和更高的电流密度。此外,PQ1CZ41的快速开关性能有助于减少开关损耗,适用于高频操作环境。该MOSFET还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠工作。封装形式小巧,便于在空间受限的设计中使用,并且符合RoHS环保标准,适合各种工业和消费类应用。
PQ1CZ41广泛应用于各类电源管理系统中,包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统、LED驱动器、马达控制电路以及便携式电子产品中的电源管理模块。由于其优异的导通特性和快速响应能力,PQ1CZ41也适用于同步整流、电源分配系统和低电压电源转换应用。
PQ1CZ41可以使用如Si2302DS、FDN306P或2N7002K等型号作为替代方案,具体选择需根据电路设计要求和参数匹配程度进行评估。