时间：2025/8/28 0:21:50
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PQ1CZ31H 是一款由罗姆（Rohm）公司制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和DC-DC转换器等电路中。这款MOSFET具备低导通电阻和高电流处理能力，能够在高频条件下稳定运行，适用于要求高效能和高可靠性的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：20V
最大漏极电流（Id）：60A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：约2.9mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：HSON（热增强型小型封装）
PQ1CZ31H 的主要特性包括极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。该器件采用HSON封装，具备良好的热性能，可有效散热，确保在高负载条件下稳定运行。此外，其栅极驱动电压范围宽广，支持常见的4.5V至20V驱动电压，适用于多种应用场景。该MOSFET的高耐压能力和大电流处理性能使其在电源管理、电池供电系统和负载开关电路中表现出色。PQ1CZ31H还具有快速开关特性，适用于高频转换器设计，有助于减小外围元件的尺寸并提高功率密度。此外，该器件具备高可靠性，适合在严苛的工业环境中使用。
PQ1CZ31H 常用于DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统、电池供电设备、电机控制电路以及负载开关等场合。由于其高效能和紧凑的封装设计，该MOSFET特别适合需要高效率和空间节省的便携式电子产品和工业设备。
SiR340DP, FDS6675, IPP090N03L, SQJ482EP
