PQ1CZ21H2ZP 时间：2025/8/28 22:38:47 阅读：26

PQ1CZ21H2ZP 是由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的一款 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换系统中。这款 MOSFET 设计用于高效能、高电流和低导通电阻的应用场景，例如 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统和负载开关。其封装形式为 TSSOP（薄型小尺寸封装），具有良好的热性能和空间效率，适用于紧凑型电子设备。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20 V
　　栅源电压（Vgs）：±12 V
　　连续漏极电流（Id）：6 A
　　导通电阻（Rds(on)）：30 mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
　　功率耗散：1.8 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSSOP

特性

PQ1CZ21H2ZP 功率 MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具备较高的电流处理能力，能够支持高达 6A 的连续漏极电流，适用于要求较高功率输出的场景。其栅极驱动电压范围为 ±12 V，通常在 4.5V 驱动电压下即可实现良好的导通性能，因此兼容多种标准逻辑电平驱动器。
　　这款 MOSFET 采用 TSSOP 封装，具有良好的热管理和空间利用效率，适合高密度 PCB 设计。同时，其工作温度范围宽，能够在 -55°C 至 150°C 的环境中稳定运行，确保了在极端温度条件下的可靠性。该器件还具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。
　　PQ1CZ21H2ZP 的另一个优势是其耐用性和稳定性，适用于多种电源管理应用，如同步整流、负载开关、马达驱动和电池供电设备中的功率控制。

应用

PQ1CZ21H2ZP 主要应用于电源管理领域，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流电路、负载开关控制、电机驱动器和电池管理系统。由于其低导通电阻和高电流能力，它非常适合用于提高电源转换效率的场合。此外，该器件也可用于便携式电子设备中的功率管理电路，如笔记本电脑、平板电脑、智能电话和其他电池供电设备。在工业自动化和电机控制领域，PQ1CZ21H2ZP 可用于实现高效的功率开关和负载控制。