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PQ1CZ21H2ZP 发布时间 时间:2025/8/28 22:38:47 查看 阅读:9

PQ1CZ21H2ZP 是由罗姆半导体(ROHM Semiconductor)生产的一款 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换系统中。这款 MOSFET 设计用于高效能、高电流和低导通电阻的应用场景,例如 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统和负载开关。其封装形式为 TSSOP(薄型小尺寸封装),具有良好的热性能和空间效率,适用于紧凑型电子设备。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):20 V
  栅源电压(Vgs):±12 V
  连续漏极电流(Id):6 A
  导通电阻(Rds(on)):30 mΩ(典型值,Vgs=4.5V)
  功率耗散:1.8 W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TSSOP

特性

PQ1CZ21H2ZP 功率 MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,该器件具备较高的电流处理能力,能够支持高达 6A 的连续漏极电流,适用于要求较高功率输出的场景。其栅极驱动电压范围为 ±12 V,通常在 4.5V 驱动电压下即可实现良好的导通性能,因此兼容多种标准逻辑电平驱动器。
  这款 MOSFET 采用 TSSOP 封装,具有良好的热管理和空间利用效率,适合高密度 PCB 设计。同时,其工作温度范围宽,能够在 -55°C 至 150°C 的环境中稳定运行,确保了在极端温度条件下的可靠性。该器件还具备快速开关能力,有助于减少开关损耗,提高整体系统性能。
  PQ1CZ21H2ZP 的另一个优势是其耐用性和稳定性,适用于多种电源管理应用,如同步整流、负载开关、马达驱动和电池供电设备中的功率控制。

应用

PQ1CZ21H2ZP 主要应用于电源管理领域,包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流电路、负载开关控制、电机驱动器和电池管理系统。由于其低导通电阻和高电流能力,它非常适合用于提高电源转换效率的场合。此外,该器件也可用于便携式电子设备中的功率管理电路,如笔记本电脑、平板电脑、智能电话和其他电池供电设备。在工业自动化和电机控制领域,PQ1CZ21H2ZP 可用于实现高效的功率开关和负载控制。

替代型号

Si2302DS, AO3400A, FDV303N

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