类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　导通电阻（RDS(on)）：100mΩ（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.4V~2.5V
　　最大功耗（PD）：2.5W
　　封装类型：SOT-89

PQ1CY103ZE MOSFET具有多个关键特性，使其适用于各种高效率功率应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高系统整体效率。其次，该器件的最大漏极电流可达5A，支持较高的功率输出，适用于中等功率的开关应用。此外，PQ1CY103ZE采用SOT-89封装，具备良好的热性能，有助于在紧凑空间内实现高效散热。
　　在电气性能方面，该MOSFET的栅极阈值电压范围为1.4V至2.5V，确保在不同的控制电压下都能稳定工作。其最大漏源电压为30V，支持多种低压电源系统。器件的开关速度较快，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　此外，PQ1CY103ZE具备良好的抗静电能力和热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定运行。其封装结构有助于简化PCB布局，提高装配效率。该MOSFET适用于电池供电设备、DC-DC转换器、LED驱动器和负载开关等多种应用场景。

PQ1CY103ZE广泛应用于多种电源管理系统和功率控制电路中。其典型应用包括DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动电路、电源管理模块以及便携式电子设备中的功率开关控制。由于其良好的热性能和较高的电流承载能力，PQ1CY103ZE也适用于对空间和效率要求较高的消费类电子产品、工业控制设备和车载电子系统。

PQ1R410YF、PQ1CY104YF、Si2302DS、FDS6675、AO3400