类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A（在Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：320A
　　功耗（PD）：140W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：PowerQFN（5.1mm x 6.0mm）
　　安装类型：表面贴装
　　引脚数：8
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.3mΩ（在VGS=10V）

PQ1CX53H2MPQ 的核心优势在于其超低导通电阻和高电流处理能力，使其在高功率密度电源系统中表现优异。其导通电阻仅为2.3mΩ，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用先进的沟槽结构硅技术，确保了快速的开关响应，降低了开关损耗。PowerQFN封装不仅体积小巧，还具有良好的热性能，便于散热和高功率操作。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性和可靠性，适用于高温环境下的运行。其栅极设计兼容标准逻辑电平驱动器，允许使用常见的10V驱动电压进行控制，从而简化了驱动电路的设计。该器件还具备较高的雪崩耐受能力，可承受瞬时过压情况，增强系统的鲁棒性。
　　由于其80A的连续漏极电流能力，PQ1CX53H2MPQ 非常适合用于高电流应用，如服务器电源、电信设备、工业自动化系统和电池管理系统。其紧凑的封装形式也适用于空间受限的设计，如便携式电源和高密度DC-DC转换器。

PQ1CX53H2MPQ 主要应用于需要高效率和高功率密度的电子系统中。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、服务器和电信电源、工业自动化控制系统、电源管理单元（PMU）以及高功率便携式设备。由于其出色的导通性能和热管理能力，该MOSFET特别适合用于要求高可靠性和高效率的现代电源系统。

SiR344DP-T1-GE3, NexFET CSD17551Q5B, SQJQ160EL, IPB013N06NM5ATMA1