时间：2025/8/27 19:01:09
阅读：3
PQ1CG38M 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用了先进的沟槽式 MOS 工艺，具备较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于需要高效能和高可靠性的场合。PQ1CG38M 采用小型表面贴装封装（通常为 TSMT4 封装），有助于节省 PCB 空间并提高组装效率。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 VDS：30V
栅源电压 VGS：±20V
连续漏极电流 ID：3.8A
导通电阻 RDS(on)：最大 68mΩ（@ VGS=10V）
功率耗散 PD：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TSMT4
PQ1CG38M MOSFET 具备多项优异特性，适用于多种功率控制应用。
首先，其低导通电阻 RDS(on) 可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适合用于同步整流、DC-DC 转换器和负载开关等应用。该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常在 4.5V 至 20V 之间），使其能够兼容多种控制器和驱动电路。
其次，PQ1CG38M 采用了 ROHM 先进的沟槽式 MOS 工艺，确保了良好的热稳定性和高频开关性能，从而满足高频率开关电源的设计需求。其封装形式为小型表面贴装（TSMT4），具有良好的散热性能，同时有助于节省 PCB 空间。
此外，该 MOSFET 还具备较高的耐用性和可靠性，能够承受一定的瞬态过载和高温工作条件。ROHM 的生产工艺和质量控制标准确保了 PQ1CG38M 在各种工业环境下的稳定运行，适用于通信设备、工业控制、电池管理系统和汽车电子等多种领域。
PQ1CG38M 主要应用于以下类型的电子系统：
1. **DC-DC 转换器**：适用于同步整流和功率开关，提高转换效率并减小系统体积。
2. **电源管理系统**：作为负载开关或功率控制元件，用于便携式设备和电池供电系统。
3. **电机驱动电路**：用于小型电机控制，提供高效的功率输出。
4. **工业自动化设备**：在 PLC、传感器模块和电源模块中作为关键功率开关元件。
5. **汽车电子系统**：如车载充电器、车身控制模块等，适用于对可靠性要求较高的汽车环境。
Si2302DS, 2N7002K, AO3400A
