时间：2025/8/27 15:17:46
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PQ1CG21是一种由Rohm公司生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高频率开关应用。该MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等应用。其封装形式为SOT-23，适合在空间受限的设计中使用。
类型：MOSFET
沟道类型：N型
最大漏源电压（Vds）：20V
最大漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：0.053Ω
最大功耗：1W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-23
PQ1CG21的主要特性包括低导通电阻，能够减少功率损耗并提高效率；快速开关特性，适合用于高频开关应用；封装紧凑，适用于空间受限的电路设计；同时具有良好的热稳定性和耐用性，可在高负载条件下稳定工作。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，可以适应不同的控制电路设计需求，并具有较高的抗过载能力，能够在瞬态条件下提供可靠的性能。此外，PQ1CG21还具备较低的漏电流，在关闭状态下能够有效减少静态功耗，提升整体系统效率。
PQ1CG21广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统、电机控制电路、电池供电设备以及各类便携式电子产品中。由于其高频开关能力和低导通电阻，特别适合用于需要高效能和小尺寸设计的电源转换系统。此外，该器件也可用于逆变器和LED驱动电路中，提供稳定的电流控制性能。
Si2302DS, AO3400, FDS6679, IRF7404
