PQ1CG1 时间：2025/8/28 7:18:39 阅读：11

PQ1CG1 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件主要用于需要高效功率转换和控制的应用中，例如电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等。PQ1CG1 采用小型表面贴装封装（通常为 TSMT4 封装），具有低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：1A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 0.45Ω @ Vgs=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSMT4

特性

PQ1CG1 MOSFET 具有多个显著的电气和物理特性，使其在低电压功率应用中表现出色。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）可以显著减少导通状态下的功率损耗，提高整体能效。这对于电池供电设备或需要高效率的系统尤为重要。
　　其次，该器件支持高达 20V 的漏源电压，适用于多种低压功率管理场景。栅源电压范围为 ±8V，确保在不同控制信号条件下都能稳定工作。此外，PQ1CG1 的最大连续漏极电流为 1A，足以满足中等功率负载的需求。
　　封装方面，TSMT4 是一种小型表面贴装封装，有助于节省 PCB 空间，并便于自动化装配。这种封装还具有良好的热性能，能够有效散发工作过程中产生的热量。
　　最后，PQ1CG1 具有宽工作温度范围（-55°C 至 150°C），可在各种环境条件下稳定运行，适用于工业级和消费类电子产品。

应用

PQ1CG1 MOSFET 广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，它常用于负载开关、DC-DC 转换器以及电池充电电路。由于其低导通电阻和高效率特性，PQ1CG1 在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中用于电源管理非常合适。
　　在电机控制和继电器替代方案中，PQ1CG1 可作为高效的开关元件，控制直流电机或电磁阀等负载。此外，它也适用于 LED 驱动电路、传感器接口以及各类小型电子设备中的功率控制应用。
　　在工业自动化和控制系统中，PQ1CG1 可用于控制执行器、继电器和小型电机。其表面贴装封装也使其适用于高密度 PCB 设计，便于实现自动化生产和高可靠性设计。