PQ160QH06N 时间：2025/12/28 4:24:52 阅读：17

PQ160QH06N是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术制造，具备低导通电阻、优异的开关性能以及良好的热稳定性，适用于多种电源拓扑结构，如同步整流、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等场景。其封装形式为双面散热的LFPAK56（也称为HSOP-8L或PowerSSO-12），有助于提高功率密度并简化散热设计。PQ160QH06N在设计上优化了寄生参数，减少了开关损耗，同时具备较强的抗雪崩能力和可靠性，适合在工业控制、通信电源、服务器电源及消费类电子产品中使用。该MOSFET支持高电流连续工作，且具有良好的栅极电荷特性，便于实现高频开关操作，从而提升整体系统效率。

参数

型号：PQ160QH06N
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：60V
　　最大连续漏极电流(ID)：160A
　　最大脉冲漏极电流(ID_pulse)：320A
　　最大功耗(PD)：250W
　　漏源导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ @ VGS=10V, ID=80A
　　漏源导通电阻(RDS(on))：2.7mΩ @ VGS=4.5V, ID=80A
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：9500pF @ VDS=30V
　　输出电容(Coss)：850pF @ VDS=30V
　　反向恢复时间(trr)：25ns
　　栅极电荷(Qg)：90nC @ VGS=10V
　　栅源击穿电压(VGS(br))：±20V
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装：LFPAK56 (PowerSSO-12)
　　安装方式：表面贴装(SMT)

特性

PQ160QH06N采用了瑞萨先进的沟槽型场截止MOSFET工艺，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡，从而实现了卓越的性能表现。其超低的RDS(on)值在同类产品中处于领先水平，尤其是在高电流条件下仍能保持稳定的导通特性，有效减少功率损耗并降低温升。该器件的双面散热封装设计允许顶部和底部同时进行热传导，极大提升了热管理效率，特别适用于空间受限但需要高功率密度的应用场合。
　　此外，PQ160QH06N具有优异的开关速度，得益于优化的栅极结构和较低的栅极电荷（Qg），使其能够在高频DC-DC转换器中实现更高的效率。其输入电容和输出电容经过精心匹配，减少了开关过程中的振荡风险，并增强了电磁兼容性（EMC）表现。内置的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr），降低了反向恢复电荷（Qrr），从而减小了在硬开关或同步整流应用中的能量损耗和电压尖峰。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击，提高了系统的鲁棒性和长期可靠性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）确保了在极端环境下的稳定运行，适合用于严苛工业环境或高温密闭空间内的电源模块。此外，器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代绿色电子产品的设计要求。

应用

PQ160QH06N广泛应用于需要高效、大电流功率开关的各种电力电子系统中。典型应用场景包括服务器和通信设备中的多相VRM（电压调节模块），用于为CPU或GPU提供低电压大电流供电；在DC-DC降压变换器中作为主开关或同步整流管，因其低RDS(on)和快速开关特性可显著提升转换效率；此外，它也被用于电动工具、无人机、电动汽车车载充电系统中的功率级电路，以及工业电机驱动器中的桥式拓扑结构。
　　由于其双面散热封装的优势，PQ160QH06N非常适合用于紧凑型高功率密度电源设计，例如板载电源（POL）、中间总线转换器（IBC）以及高密度AC-DC电源的次级侧同步整流。在电池管理系统（BMS）中，该器件也可作为充放电路径上的主控开关，利用其低导通损耗来延长电池续航时间并减少发热问题。此外，在高端消费类电子产品如游戏主机、高性能显示器电源模块中也有广泛应用。凭借其高可靠性和热性能，PQ160QH06N是现代高效能电源架构中的理想选择之一。