类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：160A
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.8mΩ（典型值，具体取决于VGS）
　　功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-220AB、D2PAK等
　　技术工艺：硅基增强型MOSFET

PQ160C的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。在高电流应用中，低RDS(on)意味着更低的压降和更少的发热，从而提升整体系统的可靠性和稳定性。此外，PQ160C具有高电流承载能力和良好的热管理性能，能够适应严苛的工作环境。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，适用于高频开关电源设计。其栅极电荷较低，使得开关过程中的能量损耗减少，从而进一步提高效率。PQ160C在过载和短路条件下也表现出良好的耐用性，适合用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。
　　在封装方面，PQ160C采用标准的TO-220或D2PAK封装，便于安装在散热器上，确保在高功率工作条件下能够有效散热。其封装设计也使其适用于自动焊接工艺，提高了生产效率和组装良率。
　　此外，PQ160C具有良好的抗雪崩能力和过温保护特性，能够在极端条件下维持稳定工作，防止因瞬态过电压或过电流而导致的器件损坏。这些特性使其成为高性能电源设计的理想选择。

PQ160C广泛应用于各种电源管理系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器和负载开关电路。在汽车电子系统中，PQ160C常用于车载电源管理模块、电动工具和电池供电设备。其高电流能力和低导通电阻也使其适用于服务器电源、工业自动化设备和通信基础设施中的功率转换模块。
　　在消费类电子产品中，PQ160C可用于高功率LED驱动器、便携式设备的电源管理单元以及智能电源插座等应用场景。由于其优异的开关特性和热管理性能，PQ160C也被广泛用于各种类型的开关电源（SMPS）设计中。

PQ160C的替代型号包括IRF1604Z、IRF1605、SiR160DP、FDMS86180、FDMS86183等。