类型：N沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：15A
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.042Ω
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（Pd）：100W

PQ15RF12 MOSFET具备多个优异的电气特性，使其在高性能电源应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的高耐压能力（100V Vds）使其适用于各种中高功率的电源转换器。该MOSFET采用了先进的沟槽式工艺，提供了良好的热稳定性和可靠性。PQ15RF12还具有较高的开关速度，适合在高频开关条件下使用，减少了开关损耗并提高了整体性能。封装方面，TO-252（DPAK）封装设计便于安装和散热管理，适用于表面贴装技术（SMT）生产工艺，提高了PCB布局的灵活性。
　　 PQ15RF12还具备良好的抗雪崩击穿能力，增强了在高能瞬态条件下的稳定性，适用于严苛的工作环境。由于其高栅极电荷（Qg）较低，该MOSFET能够实现更快的栅极驱动响应，从而优化开关性能并减少驱动损耗。综合来看，PQ15RF12是一款适用于多种高性能电源应用的可靠功率MOSFET。

PQ15RF12广泛应用于各种电源管理系统，如同步整流DC-DC降压和升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源适配器以及工业自动化设备。其高效率和高可靠性使其在要求严苛的汽车电子和工业控制领域也得到了广泛应用。

IRF150, FDP15N10, SiHF15N10